PDEA:一般社団法人 パワーデバイス・イネーブリング協会

一般社団法人 パワーデバイス・イネーブリング協会

トップページ > 半導体テスト技術者検定 > 学習の手引き > 2級出題キーワード:設計と製造

2級出題キーワード:設計と製造

コア問題

業務分類 大項目 小項目 サンプル問題
設計 デバイス 基板バイアス MOS バイポーラトランジスタ デバイス問題
(PDEA/解説なし)
BiCMOS FinFET メモリ問題
(PDEA/解説なし)
メモリ リフレッシュ MRAM
光電変換デバイス
(イメージャ)
CCDイメージャ 光電変換回路
AD変換器 微分直線性誤差(DNL) 積分直線性誤差(INL) SNDR
AD変換器評価(3次高調波) サンプリングクロックのジッタ AD変換器評価(FFT法)
SFDR AD変換器評価(窓関数) 狭帯域高周波テスト
ヒストグラム法
RF Sパラメータ インピーダンス整合
オペアンプ 演算増幅器 利得 LNA
定電流回路 定電流回路
論理設計 高位合成 形式検証 論理検証
論理シミュレーション
レイアウト設計 自動レイアウト レイアウト検証 レイアウト設計問題
(PDEA/解説なし)
レイアウト設計
タイミング設計 タイミング検証 静的タイミング解析 動的タイミング解析
統計的静的タイミング解析
低電力設計 低電力セル 電源遮断 低消費電力設計手法 CMOS充放電問題
(PDEA/解説付き)
低消費電力設計
テスト設計 テスト容易化設計(DFT) スキャン方式 圧縮パターン方式
低消費電力設計対応テスト テスト生成 テストパターン自動生成(ATPG)
故障検出率 故障モデル 組込み自己テスト(BIST)方式
テストパターン発生回路 テスト応答圧縮回路
製造 ウェーハ製造 Siウエハー SiGe Si結晶
シリコン、インゴット、ウエーハ、結晶、CZ法、FZ法 シリコン、インゴット、ウエーハ、多結晶、単結晶
素子・回路形成 酸化膜 酸化膜と窒化膜 イオンインプラント 素子・回路生成問題
(PDEA/解説なし)
OPC CAA、OPC、PQC パターン密度ルール
ダイシング ダイシング、ダイヤモンドスクライバー、レーザーダイシング、LED、GaAs ダイシング、ダイヤモンドスクライバー、レーザーダイシング、LED
テスト ウェーハテスト
実装 局所加熱、半田ごて、ホットエアー、レーザー、パルスヒート 全体加熱、赤外線リフロー、温風リフロー、VPS、フロー半田
パッケージ パッケージレベル解析 2.5D積層 パッケージ問題
(PDEA/解説なし)
歩留まり 歩留、工程数、等価欠陥密度、活性領域面積、チップ面積
バーイン バーンイン装置 バーインコスト
テスト メモリテスト セル間干渉 フェイルビットマップ 消去不良
書き込み不良 メモリBIST メモリBISR(自己修復)
メモリBIRA(冗長解析)
スキャンテスト ローンチオンキャプチャ(LoC) ローンチオンシフト(LoS) 1サイクルスキャンテスト スキャンテスト問題
(PDEA/解説なし)
2サイクルスキャンテスト バウンダリスキャンによるテスト スキャンベースロジックBIST
TSVテスト TSVテスト TSVテスト問題
(PDEA/解説なし)
診断故障解析 故障シミュレーションを利用した診断 故障辞書 故障辞書問題
(PDEA/解説付き)
故障診断アルゴリズム
テスト手法 コンカレントテスト IDDQテスト 自己発振試験 テスト手法問題
(PDEA/解説なし)
ソフトウェアベースセルフテスト アダプティブテスト 接続試験
周波数測定
高速I/Fテスト BER アイパターンとジッタ
アナログテスト 信号対雑音比(SNR) 全高調波歪率(THD) 線形性テスト AD変換器動特性問題
(PDEA/解説付き)
ゲインテスト オフセットテスト AD変換器テスト
FFT法 ミスコードテスト 微分非直線性誤差テスト(DNL)
積分非直線性誤差テスト(INL) スプリアス・ダイナミックレンジ(SFDR) ヒストグラム法
フォトダイオード特性テスト 読出し回路テスト
伝送線路測定 TDR計測 VNA
品質保証/統計 故障モデル バスタブカーブ特性 ホットキャリア 統計(テスト・評価) フラッシュメモリ不良問題
(日経リンク/解説付き)
ワイブル分布
故障解析 シュムー解析(温度・電圧影響) シュムー解析 解析技術
歩留まり 歩留まり、信頼性
車載 機能安全
信頼性 車載 機能安全系 ISO26262 機能安全問題
(PDEA/解説付き)
信頼度 信頼度計算 ワード信頼度 システム信頼度
信頼性向上 ハードウェアトロイ回路 PUF  標準化技術

フリンジ問題

業務分類 大項目 小項目 サンプル問題
設計 デバイス 基板バイアス キャリア PN接合
逆バイアス バイポーラトランジスタの動作原理 PMOSトランジスタ
スケーリング則 SoC MOSトランジスタの特性に関して
集積回路の劣化に関して 抵抗率(移動度)
メモリ リードサイクル・ライトサイクル
光電変換デバイス
(イメージャ)
CCDイメージャ CMOSイメージャ 裏面照射型CMOSセンサ
AD変換器 フラッシュ 逐次比較(SAR) パイプライン
積分型A/D変換器
高速I/F プリエンファシス デエンファシス アイパターン
イコライゼーション パラレル転送とシリアル転送 CDR
RF インピーダンスマッチング
システム設計 ハードウェア・ソフトウェア協調設計 ハードウェア・ソフトウェア協調シミュレーション 設計行程
論理設計 論理合成 組合せ回路の機能表現 セットアップ時間とホールド時間
カウンタとレジスタ 同期式と非同期式 順序回路の機能表現
ラッチとフリップフロップ 演算回路 多数決回路 多数決回路問題
(日経リンク/解説付き)
バイポーラトランジスタによる論理回路 CMOS論理回路
レイアウト設計 配線設計、配線設計 レイアウト検証、DRC 遅延モデル
タイミング検証
低電力設計 クロックゲーティング 動的電圧周波数制御(DVFS) 低消費電力
低消費電力設計手法
テスト設計 テスト容易化設計(DFT) スキャン方式 圧縮パターン方式 組み合わせ回路のテストパターン
(日経リンク/解説付き)
スキャン方式 圧縮パターンテスト方式 テスト生成
テストパターン自動生成(ATPG) 故障シミュレーション
製造 ウェーハ製造 ウエハの製造方法 エピウエハ
素子・回路形成 前工程 シリコンウェハー 熱拡散
フォトエッチング 不純物拡散
テスト ウェーハテスト ファイナルテスト
パッケージ ボンディング 裏面電極 モジュール接合部
デバイス製造 CCDデバイス CMOSデバイス 製造技術
RoHS指令 RoHS指令
テスト メモリテスト ギャロッピングテスト マーチングテスト ウォーキングテスト
チェッカーボードテスト
スキャンテスト 1サイクルテスト
テスト手法 テストエスケープとオーバーキル
テスト装置 周辺装置コストの動向(プローバ、プローブカード、ハンドラ)
高速I/Fテスト BER アイパターン
アナログテスト ボード線図
パワーデバイス 信号源、測定器 C-V測定 ゲート酸化膜リーク電流
製造テスト 生産ラインでの検査
アプリ対応 電源 DC-DCコンバータの形名 DC-DCコンバータの出力電圧とスイッチ電圧 DC-DCコンバータ
DC-DCコンバータの用途 シリーズレギュレータとスイッチングレギュレータの比較 スイッチの耐圧
ノイズ対策 高周波化 スイッチング電源の特徴
用途別の安全規格 スナバー ハードスイッチングとソフトスイッチング
ブラシレスDCモータ用インバータ ラインフィルタ回路 降圧形コンバータ
整流回路と力率改善 (Power Factor Correction ) 回路 電圧共振フライバック形コンバータ 電気・電子機器のEMC体系図
電流共振形コンバータ 同期整流回路 部品の役割
ディレーティング
品質保証/統計 故障モデル バスタブカーブ特性 ホットキャリアなど 対象故障モード
統計分布 熱暴走、サージ破壊
テスト バーンインテスト アダプティブテスト 故障検出率とすり抜け率
故障解析 解析装置
歩留まり 歩留まり、故障検出率 歩留まり計算
品質管理 QC七つ道具 FMEA FTA
特性要因図 パレート図、 散布図
ヒストグラム QFD 顧客要求品質
SPC  チェックシート 層別
信頼性 車載 機能安全系
信頼性向上 side-channel attack マイグレーション コロージョン
保証電気特性 最大定格 選別(テスト)電圧
素子実耐圧

ページの上部へ