PDEA:一般社団法人 パワーデバイス・イネーブリング協会

一般社団法人 パワーデバイス・イネーブリング協会

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第14回 PDEAパワーデバイスセミナー

次世代パワーデバイスの有力候補を斬る、注目の酸化ガリウム&ダイヤモンドの最新開発動向

日時 2017年12月6日(水) 
13:00~19:00
会場 東京・品川フロントビル会議室
主催 パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)
協賛 (株)アドバンテスト
後援
(予定)
東京大学VDEC
日本電子デバイス産業協会(NEDIA)
日本半導体製造装置協会(SEAJ)
システム・インテグレーション(株)
特別協力 (株)産業タイムズ社
参加費 10,000円+税/1名
(テキスト代、交流会費含む)
定員 80名 
※定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。
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企画趣旨

「ポストシリコン」を目指す次世代パワー半導体はSiCやGaNだけではありません。それらは実用化で先行していますが、最近では、よりバンドギャップが広く、パワー半導体材料としての適性を示すバリガー性能指数が極めて高い酸化ガリウムやダイヤモンドが、新たな有力候補として急浮上しています。
そこで、パワーデバイス・イネーブリング協会では、酸化ガリウムおよびダイヤモンドを使ったパワー半導体の最新開発動向と、離陸に向けた課題を探る技術セミナー「次世代パワーデバイスの有力候補を斬る」を企画いたしました。

酸化ガリウムに関しては、国立研究開発法人 情報通信研究機構の東脇正高氏にトランジスタおよびダイオードの開発動向と離陸への課題を語っていただきます。 加えて、独自の「ミストCVD」技術を駆使して酸化ガリウムSBD(ショットキバリアダイオード)試作に成功した㈱FLOSFIAの開発戦略を、取締役CTOの四戸孝氏に講演いただきます。 ダイヤモンドに関しては、ウエハー開発からデバイス(ダイオード、MOSFET)までの最新研究動向と離陸への課題を、金沢大学の徳田規夫准教授に語っていただきます。

このほか、特別講演として、日本発の世界標準のめどが立った「車載・一般用途半導体部品認定ガイドライン」について、JEITA(一般社団法人電子情報技術産業協会)のワーキンググループリーダの伊賀洋一氏にご紹介いただきます。 酸化ガリウムとダイヤモンドパワーデバイスの可能性を探る絶好の機会ですので、皆様のご参加をお待ちしております。

セミナープログラム

※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。

講演 ダイヤモンドパワーデバイス開発の最新動向と離陸への課題13:05-14:05
講師 金沢大学 理工研究域 電子情報学系 薄膜電子工学研究室 徳田 規夫 氏
特別講演 ~日本発、世界標準:車載・一般用途半導体部品認定ガイドラインの紹介~14:05-15:05
講師 JEITA 半導体信頼性試験認定ワーキンググループ(WG)
リーダー 伊賀 洋一 氏
講演 パワーデバイス・イネーブリング協会からのご案内15:05-15:15
講師 一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会
講演 酸化ガリウムトランジスタ・ダイオード開発の最新動向と離陸への課題15:30-16:30
講師 国立研究開発法人 情報通信研究機構 未来ICT研究所
グリーンICTデバイス先端開発センター センター長 東脇 正高 氏
講演 ミストCVD法による世界最小オン抵抗の酸化ガリウムSBDの開発と事業化戦略16:30-17:30
講師 (株)FLOSFIA 取締役CTO 四戸 孝 氏
交流会 17:40-19:00
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