PDEA:一般社団法人 パワーデバイス・イネーブリング協会

一般社団法人 パワーデバイス・イネーブリング協会

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第15回 PDEAパワーデバイスセミナー

世界で市場急拡大が確実なEVをにらむSiCデバイス技術・市場の最新動向

日時 2018年6月1日(金)
会場 大阪御堂筋ビル貸会議室
主催 パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)
協賛 (株)アドバンテスト
後援
東京大学VDEC
日本電子デバイス産業協会(NEDIA)
日本半導体製造装置協会(SEAJ)
システム・インテグレーション㈱
特別協力 (株)産業タイムズ社
参加費 8,000円(税込)/1名
(テキスト代、名刺交換会費含む)
定員 60名 
※定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。
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企画趣旨

SiCパワー半導体の用途がますます広がっています。Siに比べて省電力化やパワーモジュール小型化に貢献する特徴が産業界において定着しつつあり、鉄道車両や太陽光発電、エアコン等に採用が進められています。さらに今後は新幹線車両、そしてEVやPHV、FCV(燃料電池車)にも広がっていきます。特に自動車業界では、PCUの小型・軽量化に貢献しうる車載SiCデバイスの本格離陸が待望される状況となっています。今回のセミナーでは、EVなどをにらむSiCデバイスの最新動向を、技術・市場の両面から探っていきます。SiCの最新動向を探る絶好の機会となりますので、ぜひご参加いただき、今後の事業戦略構築にお役立てください。

セミナープログラム

※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。

講演 市場急拡大に沸くEV、およびEV時代の飛躍を狙うSiCパワーデバイスの最新市場動向13:00-14:20
講師 IHSグローバル㈱ IHS Technology/Japan Research Director 南川 明 氏
講演 低損失SiCデバイスの開発状況14:20-15:10
講師 三菱電機㈱ パワーデバイス製作所 応用技術部 応用技術第一課 課長 松岡 徹 氏
講演 パワーデバイス・イネーブリング協会からのご案内15:10-15:20
講師 一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会

休憩 (15:20-15:35)

講演 1200Vの高耐圧・高信頼性SiCパワーMOSFETの開発15:35ー16:25
講師 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
SiCデバイスプロセスチーム チームリーダー 原田 信介 氏
パネルディスカッション16:25-17:30
パネラー:各講師
名刺交換会 17:30-18:30
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