PDEA:一般社団法人 パワーデバイス・イネーブリング協会

一般社団法人 パワーデバイス・イネーブリング協会

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2級出題キーワード:パワーデバイス

コア問題

業務分類 大項目 小項目 サンプル問題
設計 デバイス SiCの結晶多形 MOSFET同期整流 SiCの寄生容量
ホットエレクトロン 基本材料特性(伝導特性) 耐圧設計、特性オン抵抗
NBTI
電力用ダイオード ショットキーバリアダイオード リバースリカバリー特性
(PiNダイオード)
ショットキーダイオード
(PDEA/解説付き)
パワーMOSFET 特性オン抵抗 MOS、dVD/dt耐性 パワーMOSFETの特性オン抵抗(日経リンク/解説付き)
しきい値電圧 MOSFETのしきい値電圧
(日経リンク/解説付き)
しきい値電圧
(フラットバンド電圧)
MOSFETのしきい値電圧
(日経リンク/解説付き)
パワーMOSFETのゲートプラトー電圧(日経リンク/解説付き)
IGBT IGBTの静特性評価 IGBT(対称型導通損失) IGBT(非対称型導通損失) IGBT(PDEA/解説付き)
ノンパンチスルー(IGBT) パンチスルー(IGBT)
リーク電流
(対称型IGBT)
リーク電流
(非対称型IGBT)
IGBTのRBSOA IGBTラッチアップ対策 MOSFET
RESURF 伝導度変調(IGBT)
ターンオフ波形
(対称型IGBT)
ターンオフ波形
(非対称型IGBT)
ターンオン波形
(IGBT)
パワーモジュール SiとSiCのハイブリッドパワーモジュール 表皮効果による抵抗値上昇 パワーサイクル試験
IGBTモジュールの損失 IGBTのサージ電圧
昇圧・降圧回路 昇圧チョッパ回路
製造 ウェーハ製造 低オン抵抗化 薄ウエハ トレンチゲート構造
SJ構造 高耐圧化 高速化
高集積化 べベル ガードリング
フィールドプレート 二重拡散 ウエハ
FZ基板(FZウエハ) CZ基板 厚膜エピ パワーデバイス用基板ウエハ(PDEA/解説付き)
薄ウエハプロセス トレードオフ関係 耐圧
オン抵抗 スイッチング損失 オン電圧
立下り時間 デバイス断面構造 ライフタイムコントロール
チップ製造 ダイシング ダイボンディング ワイヤディング
高電流密度化 ボンディング 終端構造
SJ-MOSFET HVIC SJ構造
終端構造 IGBT構造、製造プロセス IGBTの大容量化
HVIC パワーIC
モジュール製造 ダイシング ダイボンディング ワイヤボンディング
テスト チップテスト ウエハ状態 TEG チップテスト、オン抵抗
デバイステスト C-V測定 温度係数 自己発熱
ターンオン/オフ時間 立上り/立下り時間 逆回復時間
ブレークダウン 負荷短絡耐量 ゲート酸化膜リーク電流
PN接合耐圧、PN接合リーク電流 スイッチング損失測定、コモンモードチョーク サージ電圧 PN接合リーク
(PDEA/解説付き)
絶縁耐圧、素子耐圧、飽和電圧 サージ電圧 動作時の飽和電圧測定
モジュールテスト 最終製品状態 IGBTモジュール、並列接続、電流アンバランス
測定器 信号源、測定器 オシロスコープ 電流/電圧プローブ
アプリ対応 電源 DC-DCコンバータの形名 DC-DCコンバータの出力電圧とスイッチ電圧 DC-DCコンバータの用途 DC-DCコンバータの型名
(PDEA/解説なし)
スイッチの耐圧 高周波化 スイッチング電源の特徴
スナバー ハードスイッチングとソフトスイッチング 降圧形コンバータ
整流回路と力率改善 (Power Factor Correction ) 回路 電圧共振フライバック形コンバータ 電流共振形コンバータ
同期整流回路
デバイス対応 GaN(窒化ガリウム)パワーデバイス ショットキーバリアダイオードの特性 スイッチ(MOSFET)の損失
パワーMOSFETの容量
信頼性対応 放熱対策 摩耗不良 修正コフィン・マンソンモデル
パワーサイクル試験
品質保証/統計 熱設計 放熱設計 Tj Tjmax
Ta 熱抵抗 ヒートシンク
過渡熱抵抗 ディレーティング
品質管理 ロット履歴 トレーサビリティ シミュレーション パワーデバイス品質保証
(PDEA/解説なし)
スクリーニング X-R管理図
信頼性 故障モード CDM(デバイス耐電モデル) ラッチアップ現象 破壊モード、アバランシェブレークダウン
破壊モード、逆接続 短絡耐量 貫通電流
加速モデル 修正コフィン・マンソンモデル TDDB、Bモード
信頼性試験 パワーサイクル試験 パワーサイクル試験
(PDEA/解説なし)

フリンジ問題

業務分類 大項目 小項目 サンプル問題
設計 デバイス 基板バイアス キャリア PN接合
逆バイアス バイポーラトランジスタの動作原理 PMOSトランジスタ
スケーリング則 SoC MOSトランジスタの特性に関して
集積回路の劣化に関して 抵抗率(移動度)
メモリ リードサイクル・ライトサイクル
光電変換デバイス
(イメージャ)
CCDイメージャ CMOSイメージャ 裏面照射型CMOSセンサ
AD変換器 フラッシュ 逐次比較(SAR) パイプライン
積分型A/D変換器
高速I/F プリエンファシス デエンファシス アイパターン
イコライゼーション パラレル転送とシリアル転送 CDR
RF インピーダンスマッチング
システム設計 ハードウェア・ソフトウェア協調設計 ハードウェア・ソフトウェア協調シミュレーション 設計行程
論理設計 論理合成 組合せ回路の機能表現 セットアップ時間とホールド時間
カウンタとレジスタ 同期式と非同期式 順序回路の機能表現
ラッチとフリップフロップ 演算回路 多数決回路 多数決回路問題
(日経リンク/解説付き)
バイポーラトランジスタによる論理回路 CMOS論理回路
レイアウト設計 配線設計、配線設計 レイアウト検証、DRC 遅延モデル
タイミング検証
低電力設計 クロックゲーティング 動的電圧周波数制御(DVFS) 低消費電力
低消費電力設計手法
テスト設計 テスト容易化設計(DFT) スキャン方式 圧縮パターン方式 組み合わせ回路のテストパターン
(日経リンク/解説付き)
スキャン方式 圧縮パターンテスト方式 テスト生成
テストパターン自動生成(ATPG) 故障シミュレーション
製造 ウェーハ製造 ウエハの製造方法 エピウエハ
素子・回路形成 前工程 シリコンウェハー 熱拡散
フォトエッチング 不純物拡散
テスト ウェーハテスト ファイナルテスト
パッケージ ボンディング 裏面電極 モジュール接合部
デバイス製造 CCDデバイス CMOSデバイス 製造技術
RoHS指令 RoHS指令
テスト メモリテスト ギャロッピングテスト マーチングテスト ウォーキングテスト
チェッカーボードテスト
スキャンテスト 1サイクルテスト
テスト手法 テストエスケープとオーバーキル
テスト装置 周辺装置コストの動向(プローバ、プローブカード、ハンドラ)
高速I/Fテスト BER アイパターン
アナログテスト ボード線図
パワーデバイス 信号源、測定器 C-V測定 ゲート酸化膜リーク電流
製造テスト 生産ラインでの検査
アプリ対応 電源 DC-DCコンバータの形名 DC-DCコンバータの出力電圧とスイッチ電圧 DC-DCコンバータ
DC-DCコンバータの用途 シリーズレギュレータとスイッチングレギュレータの比較 スイッチの耐圧
ノイズ対策 高周波化 スイッチング電源の特徴
用途別の安全規格 スナバー ハードスイッチングとソフトスイッチング
ブラシレスDCモータ用インバータ ラインフィルタ回路 降圧形コンバータ
整流回路と力率改善 (Power Factor Correction ) 回路 電圧共振フライバック形コンバータ 電気・電子機器のEMC体系図
電流共振形コンバータ 同期整流回路 部品の役割
ディレーティング
品質保証/統計 故障モデル バスタブカーブ特性 ホットキャリアなど 対象故障モード
統計分布 熱暴走、サージ破壊
テスト バーンインテスト アダプティブテスト 故障検出率とすり抜け率
故障解析 解析装置
歩留まり 歩留まり、故障検出率 歩留まり計算
品質管理 QC七つ道具 FMEA FTA
特性要因図 パレート図、 散布図
ヒストグラム QFD 顧客要求品質
SPC  チェックシート 層別
信頼性 車載 機能安全系
信頼性向上 side-channel attack マイグレーション コロージョン
保証電気特性 最大定格 選別(テスト)電圧
素子実耐圧

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