ここまできた！！ SiC/GaNパワーデバイス
最終更新日 2013年10月7日
パワーデバイス・イネーブリング協会事務局
セミナー概要
確か、4～5年前だったと思う。新材料SiCおよびGaNを採用したパワーデバイスの開発は精力的に進められていたものの、量産に向けては様々な障壁が立 ちはだかっていました。両材料に共通するウェハの結晶欠陥をはじめ、SiCではゲート周りを中心に、GaNは半導体特性そのものに難点が介在してしまし た。
しかし昨今、これらの難点が急速に改善されるとともに、アプリケーションに至ってはより拡大の方向にあり、両材料の棲み分けから一転、競合分野も生まれて来るのではないかと推測されています。
そこで、パワーデバイス・イネーブリング協会では、SiCおよびGaNパワーデバイスの量産に向けての進捗状況を焦点に「ここまできた！！ SiC/GaNパワーデバイス」を企画しました。ウェハからデバイス、さらには実装まで含め、両新材料のパワーデバイスの完成度を探っていきます。
ぜひ、同セミナーにご参加いただき、貴社の事業戦略構築、ビジネス・チャンス獲得のための要素情報としてお役立てください。
| 開催日程 | 2013年11月1日（金） 12:55～17:20 （17:30～19:00 懇親会） |
|---|---|
| 開催会場 | 横浜ワールドポーターズ 6F イベントホールB 〒231-0001 神奈川県横浜市中区新港二丁目2番1号 |
| 主催 | 一般社団法人 パワーデバイス・イネーブリング協会 (PDEA) |
| 協賛 | 株式会社アドバンテスト |
| 後援 | 東京大学VDEC、SIIQ |
| 協力 | 株式会社産業タイムズ社 |
| 問い合わせ先／ 事務局 |
パワーデバイス・イネーブリング協会 株式会社アドバンテスト内 TEL：03-3214-7552 |
| 対象者 | パワーデバイスの設計、製造、評価・試験に関わる関係者様 |
| 参加費 | PDEA会員 （無料、ただし会員用ページから参加登録した場合） PDEA非会員 （5,000円／1名 テキスト代・懇親会実費として） （参加費は当日現金払いになっています） |
| 注意事項 | プログラムは変更になる場合があります。最新情報をホームページでご確認いただきますようお願い致します。万一、申込者多数の場合には、お申し込みをお断りさせて頂く場合がございます。ご了承の上、お申し込みください。 会場内での撮影・録音は、当協会から許可された方を除き、固くお断りいたします。発見した場合には、メディアの処分等の然るべき措置を取らせていただきますので、ご了承いただけますようお願い致します。 |
セミナープログラム
※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。
| 主催者挨拶12:55 ～ 13:00 | |
|---|---|
| 一般社団法人 パワーデバイス・イネーブリング協会 事務局長 荒川 則雄 |
| 講演 | 電鉄分野へのSiC搭載に向けて ～高速鉄道車両用インバータへの展開を目指して～13:00 ～ 13:50 |
|---|---|
| 講師 | 東京工業大学 大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻 「鉄道の技術イノベーションと標準化（JR東日本）」寄附講座 特任教授 渡邉 朝紀 |
| 概要 | 東京メトロの新型電車のインバータにSiCデバイスが搭載された。電車の電気ブレーキ作動領域が大幅に拡大され，運転しやすく，省エネルギーになったほ か，インバータの質量，体積とも従来の65%になった。電気機器の小型軽量化は特に高速鉄道車両の更なる高速化において，喫緊の課題となっている。世界中 で鉄道プロジェクトが目白押しとなっているが，インフラビジネスは国内外で大きな違いがあり，本講演では国内の優れたデバイス技術を世界市場に広めるに は，どのような障害があり，克服するためには，ビジネスの各プレーヤーはどのような戦略をもって，どのように変身しなければいけないかについて考察する。 |
| 主催者挨拶12:55 ～ 13:00 | |
|---|---|
| 一般社団法人 パワーデバイス・イネーブリング協会 事務局長 荒川 則雄 |
| 講演 | 品質、大口径化を巡るSiCウエハの現状13:00 ～ 13:40 |
|---|---|
| 講師 | 株式会社デンソー 基礎研究所 機能材料研究部 SiCウエハ研究室 室長 廣瀬 富佐雄 |
| 概要 | SiCデバイスの実用化に伴い、SiCウエハの高品質化・大口径化も近年、急速に進み、かつての最大の課題であったマイクロパイプ欠陥はφ4インチではほ ぼなくなり、φ6インチウエハの本格的な市場展開が始まった。本公演では、最近のウエハ動向の概要について紹介するとともに、弊社で取り組んでいる超高品 質化技術RAF法を用いた大口径ウエハ作製について紹介する。 |
| 講演 | SiCパワーデバイスの現状13:40 ～ 14:20 |
|---|---|
| 講師 | ローム株式会社 SiCパワーデバイス製造部 （兼任） パワーエレクトロニクス研究開発ユニット 三浦 峰生 |
| 概要 | 近年、新たなパワー半導体用材料としてSiCに期待が寄せられている。SiCは、材料物性が優れているだけでなく、デバイス作製に必要なp型、 n型の制御が可能であることなどから、Si限界を超えるパワーデバイスが実現できる。600V ～ 1200VのSBDが10年ほど前から量産され、すでに市場に浸透し始めているだけでなく、近年ではMOSFETやそれを使用した100A以上のクラスの パワーモジュールも量産され始め、実際に入手することが可能な次世代パワーデバイスとしてさらにその存在感が高まってきている。 |
ブレイク (14:20 ～ 14:30)
| 講演 | 実装から見たSiCパワーデバイス14:30 ～ 15:10 |
|---|---|
| 講師 | 株式会社デンソー 基礎研究所 SiCデバイス研究部 室長 鶴田 和弘 |
| 概要 | SiCデバイスは実用化が進んており、φ6インチの大口径ウエハでの生産も始まろうとしている。しかし実装から見たとき、第1にウエハの大口径化に伴い、 チップの薄板化、ダイシングがSiデバイスに比べ、難しくなる。第2に高温動作化に伴い、高放熱構造、パッケージング材料の高耐熱化が課題となる。第3に 高速スイッチングに対応するため低寄生インダクタンス化も必要となる。本講演では上記課題の現状と取り組み状況について紹介する。 |
| 講演 | GaNパワーデバイスの現状と分極スーパージャンクション技術による高耐圧化15:10 ～ 15:50 |
|---|---|
| 講師 | 株式会社パウデック 代表取締役社長 河合 弘治 |
| 概要 | 高電圧・横型素子であるGaN-HEMTはフィールドプレート (FP) と導電性Si基板を用いることでゲート近傍の強電界を抑制し600Vまでの素子を実現している。そして、各社から実用化のアナウンスがなされている。しか しながら、強電界の抑制の理想的方法はSiパワー素子で採用されているスーパージャンクション (SJ) 方式であろう。GaN/AlGaN/GaN多層膜の分極特性を巧みに利用するとGaN系でもSJを実現できる。分極SJ-FET (PSJ-FET) の動作原理とSi基板上の素子について現状を報告する。 |
| パワーデバイス・イネーブリング協会のご紹介15:50 ～ 16:00 |
|---|
ブレイク (16:00 ～ 16:10)
| 講演 | 各社の開発状況とアプリケーション展開から見た完成度～ Q&Aとディスカッションも含む ～16:10 ～ 17:20 |
|---|---|
| 講師 | 筑波大学大学院 ビジネス科学研究科 経営システム科学専攻 准教授 立本 博文 |
| 懇親会 | 17:30 ～ 19:00 |
|---|---|
| お飲み物と軽食をご用意しております。ご歓談をお楽しみください。 |
