いよいよ見えてきたSiCパワー デバイスの実用化
| 日時 | 2016年4月20日(水) 13：50～18：30 |
|---|---|
| 会場 | 名古屋・Time Office名駅 |
| 定員 | 40名 ※定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます |
| 主催 | (一社)パワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA） | 協賛 | ㈱アドバンテスト | 特別協力 | ㈱産業タイムズ社 |
| 参加費 | 5,000円+税／1名 （テキスト代、名刺交換会費含む） |
企画趣旨
SiCパワーデバイスの完成度が高まりつつあります。来るべき実用化に向けては、当然、高い信頼性も確保しなければなりません。その中でも今回注目したいのは、対(宇宙)放射線耐性です。車載用途にしろ、パワコンなど産業用途にしろ、SiCパワーの使用環境は平地のみとは限りません。さらに、標高の高いところや宇宙・航空用途まで考慮すると、対(宇宙)放射線耐性は絶対に確保しなければならない必須条件となってきます。
そこで、今回のPDEAセミナーでは、「SiCパワー実用化に向けての高度信頼性 ～宇宙・航空ビジネスへの展開を踏まえて～」と題し、企画・構成致しました。 素材としてSiよりもかなり高い対(宇宙)放射線耐性を持つSiCを用いた(パワー)デバイスの将来性と期待を、宇宙・航空ビジネスの展望と併せ探っていきます。 この対(宇宙)放射線耐性確保のためには、デバイス製造工程、モジュール工程、あるいは実装において、あるいは新たな材料や装置が必要になってくるかも知れません。SiCビジネスを巡る貴社・事業戦略構築のための要素情報の一つとして、ぜひ、今回のPDEAセミナーをご活用ください。
セミナープログラム（予定）
※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。
| 講演 | PDEAからのお知らせ ～半導体技術者検定のご案内等～13:50 ～ 14:00 |
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| 講師 | (一社)パワーデバイス・イネーブリング協会 江越 広弥氏 |
| 講演 | ここまできたSiCパワーデバイスの実用化14:00 ～ 14:50 |
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| 講師 | 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 岩室 憲幸氏 |
| 講演 | SiC拡大に向けたパワーデバイス実装の信頼性と動向14:50 ～ 15:40 |
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| 自動車のエレクトロニクス化が進展し、搭載電子製品の一層の小型化が要求されており、パワーデバイスにおいても同様である。そこで、高信頼・ 高放熱を実現するパワーデバイス実装について紹介する。特に高信頼性を確保する一つの手法としての樹脂封止技術についても、触れる。 | |
| 講師 | ㈱デンソー 電子基盤技術統括部 神谷 有弘氏 |
ブレイク (15:40 ～ 15:50)
| 講演 | SiCデバイスの品質および長期信頼性の現状15:50 ～ 16:40 |
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| 講師 | JEITA半導体信頼性技術小委員会 個別半導体（パワー系）信頼性試験規格PG 化合物パワー半導体信頼性技術WG 山口 浩二氏 |
| 質疑応答 | 16:40 ～ 17:00 |
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| 名刺交換会 | 17:00 ～ 18:30 |
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