SiCパワーデバイス開発の進展と燃料電池自動車への期待
日時 | 2016年12月2日(金) 13:30~18:30 |
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会場 | 東京・品川フロントビル会議室 |
定員 | 80名 |
参加費 | 10,000円+税 (テキスト、名刺交換会付) |
主催 | 一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会 |
協賛 | 株式会社アドバンテスト |
特別協力 | 株式会社産業タイムズ社 |
後援 | 東京大学VDEC |
企画趣旨
燃料電池自動車(FCV)への期待が高まってきています。EVとの比較では僅か数分の燃料充填で数百キロの走行を可能とする利便性、またCO2など有害物質を排出しない環境への優しさからも、その本格的な実用化が急がれています。
実際、この動きに呼応し、水素ステーションの建設も急ピッチで進められる中で、同時に低コスト・短工期での水素ステーションの提案もなされています。
一方、FCVのモーター駆動系に目を移せば、インバーター制御用のSiCパワーデバイスが、従来課題を克服し、飛躍的な進化を遂げようとしています。SiCパワーデバイスがFCVの本格的な実用化に貢献する日も、そんなに遠い日のことではありません。
そこでパワーデバイスイネーブリング協会では、今年最後のセミナーとして、「SiCパワーデバイスの進化と燃料電池自動車への期待」を企画いたしました。SiCパワーデバイスの進化に関しては、SiCエピウェハのエピ欠陥低減を図るアプローチについて東洋炭素の北畠様から、また300℃駆動可能の実装技術について大阪大学教授の菅沼先生にご講演いただきます。
そしてFCVと車載パワーエレクトロニクスの最新動向については、本田技術研究所 板東様に解説していただきます。
車載、SiCパワーエレクトロニクスに関し、貴社事業戦略構築のための要素情報として、ぜひ同セミナーにご参加ください。
セミナープログラム(予定)
※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。
講演 | 完全ケミカルエッチングプロセスによる、 Scratch-FreeなSiCウェハの平坦化処理、上市 ~従来の機械研磨では不可避のLatent-Scratchの完全除去がもたらす、 高品質な平坦表面と薄板ウェハ~13:30 ~ 14:30 |
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講師 | 東洋炭素株式会社 執行役員 北畠 真 様 |
講演 | パワーデバイス・イネーブリング協会からのご案内14:30 ~ 14:45 |
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講師 | (一社)パワーデバイス・イネーブリング協会 |
ブレイク (14:45 ~ 15:00)
講演 | SiCパワーデバイスの耐熱実装技術15:00 ~ 16:00 |
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講師 | 大阪大学 産業科学研究所 先端実装材料 菅沼研究室 教授 菅沼 克昭 様 |
講演 | 燃料電池車へのFull SiC適用事例の紹介と 今後のワイドバンドギャップ半導体への期待16:00 ~ 17:00 |
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講師 | ㈱本田技術研究所 四輪R&Dセンター 第5技術開発室 第1ブロック 板東 真史 様 |
名刺交換会 | 17:00 ~ 18:30 |
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