SiC搭載における冷却設備および熱対策
| 日時 | 2017年10月27日（金） 13:00～18:30 |
|---|---|
| 会場 | 大阪ナレッジキャピタル （グランフロント大阪Tower B10F） |
| 主催 | パワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA） |
| 協賛 | （株）アドバンテスト |
| 後援 | 東京大学VDEC ナノテスティング学会（※予定） 日本電子デバイス産業協会（NEDIA） 日本半導体製造装置協会（SEAJ）（※予定） システム・インテグレーション（株） |
| 特別協力 | （株）産業タイムズ社 |
| 参加費 | 10,000円+税／1名 （テキスト代、名刺交換会費含む） |
| 定員 | 60名 ※定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。 |
企画趣旨
次世代のパワーデバイスとして注目を集め、鉄道や自動車、家電などで実用化が進み始めたSiCパワーデバイスですが、課題も数多く残されています。その一つが「熱」です。SiCパワーデバイスは、動作温度が約150℃のSiパワーデバイスよりも高温の、200℃以上での動作が可能です。
そのため、SiCパワーモジュールを設計・製造する場合、損失を低減するために最適な熱設計を考慮する必要があります。 特に今後は、自動車への搭載を睨んだ熱設計が重要となります。また、SiC動作温度200℃以上に対応した高耐熱の実装材料も必須となっていきます。
SiCパワーモジュールの熱対策の最新動向を探る絶好の機会となりますので、ぜひご参加いただき、今後の事業戦略構築にお役立てください。
セミナープログラム
※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。
| 講演 | SiC搭載にともなう自動車冷却システムと熱設計に関する考察13:05-14:05 |
|---|---|
| 講師 | （株）サーマルデザインラボ 代表取締役 国峯 尚樹氏 |
| 講演 | 高耐熱実装材料の開発動向14:05-15:05 |
|---|---|
| 講師 | 大阪大学 産業科学研究所 教授 菅沼 克昭氏 |
| 講演 | パワーデバイス・イネーブリング協会からのご案内15:05-15:15 |
|---|---|
| 講師 | 一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会 |
| 講演 | 高耐熱SiCモジュールの最新動向15:30-16:30 |
|---|---|
| 講師 | 三菱電機（株） パワーデバイス製作所 応用技術部 応用技術第一課長 松岡 徹氏 |
| パネルディスカッション | SiC搭載における冷却設備と熱対策 16:30-17:30 |
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| モデレーター | システム・インテグレーション（株） 代表取締役 多喜 義彦氏 |
| パネラー | （株）サーマルデザインラボ 代表取締役 国峯 尚樹氏 大阪大学 産業科学研究所 教授 菅沼 克昭氏 三菱電機（株）パワーデバイス製作所 応用技術部 応用技術第一課長 松岡 徹氏 |
| 名刺交換会 | 17:30-18:30 |
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