次世代パワーデバイスの有力候補を斬る、注目の酸化ガリウム＆ダイヤモンドの最新開発動向

企画趣旨

「ポストシリコン」を目指す次世代パワー半導体はSiCやGaNだけではありません。それらは実用化で先行していますが、最近では、よりバンドギャップが広く、パワー半導体材料としての適性を示すバリガー性能指数が極めて高い酸化ガリウムやダイヤモンドが、新たな有力候補として急浮上しています。
そこで、パワーデバイス・イネーブリング協会では、酸化ガリウムおよびダイヤモンドを使ったパワー半導体の最新開発動向と、離陸に向けた課題を探る技術セミナー「次世代パワーデバイスの有力候補を斬る」を企画いたしました。

酸化ガリウムに関しては、国立研究開発法人 情報通信研究機構の東脇正高氏にトランジスタおよびダイオードの開発動向と離陸への課題を語っていただきます。 加えて、独自の「ミストCVD」技術を駆使して酸化ガリウムSBD（ショットキバリアダイオード）試作に成功した㈱FLOSFIAの開発戦略を、取締役CTOの四戸孝氏に講演いただきます。 ダイヤモンドに関しては、ウエハー開発からデバイス（ダイオード、MOSFET）までの最新研究動向と離陸への課題を、金沢大学の徳田規夫准教授に語っていただきます。

このほか、特別講演として、日本発の世界標準のめどが立った「車載・一般用途半導体部品認定ガイドライン」について、JEITA（一般社団法人電子情報技術産業協会）のワーキンググループリーダの伊賀洋一氏にご紹介いただきます。 酸化ガリウムとダイヤモンドパワーデバイスの可能性を探る絶好の機会ですので、皆様のご参加をお待ちしております。

セミナープログラム

※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。