世界で市場急拡大が確実なEVをにらむSiCデバイス技術・市場の最新動向
日時 | 2018年6月1日(金) |
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会場 | 大阪御堂筋ビル貸会議室 |
主催 | パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA) |
協賛 | (株)アドバンテスト |
後援 |
東京大学VDEC 日本電子デバイス産業協会(NEDIA) 日本半導体製造装置協会(SEAJ) システム・インテグレーション㈱ |
特別協力 | (株)産業タイムズ社 |
参加費 | 8,000円(税込)/1名 (テキスト代、名刺交換会費含む) |
定員 | 60名 ※定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。 |
企画趣旨
SiCパワー半導体の用途がますます広がっています。Siに比べて省電力化やパワーモジュール小型化に貢献する特徴が産業界において定着しつつあり、鉄道車両や太陽光発電、エアコン等に採用が進められています。さらに今後は新幹線車両、そしてEVやPHV、FCV(燃料電池車)にも広がっていきます。特に自動車業界では、PCUの小型・軽量化に貢献しうる車載SiCデバイスの本格離陸が待望される状況となっています。今回のセミナーでは、EVなどをにらむSiCデバイスの最新動向を、技術・市場の両面から探っていきます。SiCの最新動向を探る絶好の機会となりますので、ぜひご参加いただき、今後の事業戦略構築にお役立てください。
セミナープログラム
※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。
講演 | 市場急拡大に沸くEV、およびEV時代の飛躍を狙うSiCパワーデバイスの最新市場動向13:00-14:20 |
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講師 | IHSグローバル㈱ IHS Technology/Japan Research Director 南川 明 氏 |
講演 | 低損失SiCデバイスの開発状況14:20-15:10 |
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講師 | 三菱電機㈱ パワーデバイス製作所 応用技術部 応用技術第一課 課長 松岡 徹 氏 |
講演 | パワーデバイス・イネーブリング協会からのご案内15:10-15:20 |
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講師 | 一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会 |
休憩 (15:20-15:35)
講演 | 1200Vの高耐圧・高信頼性SiCパワーMOSFETの開発15:35ー16:25 |
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講師 | 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター SiCデバイスプロセスチーム チームリーダー 原田 信介 氏 |
パネルディスカッション16:25-17:30 |
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パネラー:各講師 |
名刺交換会 | 17:30-18:30 |
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