次世代アプリへの展開を睨むSiC・GaNパワー半導体
| 日時 | 2018年12月3日（月） 13:00～18:30 |
|---|---|
| 会場 | 品川フロントビル会議室 |
| 主催 | パワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA） |
| 協賛 | （株）アドバンテスト |
| 後援 （予定） |
東京大学VDEC ナノテスティング学会 日本電子デバイス産業協会（NEDIA） |
| 特別協力 | （株）産業タイムズ社 |
| 参加費 | 10,000円（税込）／1名 （テキスト代、名刺交換会費含む） |
| 定員 | 80名 ※定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。 |
企画趣旨
SiCやGaNを用いたパワー半導体は、アプリケーションの裾野のさらなる拡大が期待されています。 SiCは高速鉄道、再生可能エネルギーのPCSに次いで、自動車への本格展開が迫っており、 EV向けに特性を大きく改善したデバイスも発表されています。また、ロボットなど、急成長している 産業においてもGaNやSiCは注目度が高まっています。今回のセミナーは、最新市場動向、デバイスや モジュールの最新開発動向に加え、ユーザーサイドから見た期待度や将来性なども解説していきます。 最新動向を探る絶好の機会となりますので、ぜひご参加いただき、今後の事業戦略構築にお役立てください。
セミナープログラム
※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。
| 講演 | 次世代アプリを睨むSiC・GaNパワーデバイスの将来市場動向13：00－14：00 |
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| 講師 | グロスバーグ合同会社 代表 大山 聡 氏 |
| 講演 | 広範な応用展開が期待される、SiCモジュールの技術14：00－15：00 |
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| 講師 | 富士電機(株) 電子デバイス事業本部 開発統括部 パッケージ開発部 先行開発課 池田 良成 氏 |
| 講演 | パワーデバイス・イネーブリング協会からのご案内15：00－15：10 |
|---|---|
| 講師 | 一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会 |
休憩 (15：10－15：25)
| 講演 | サーボシステムにおけるパワー半導体の使われ方と次世代パワー半導体への期待15：25－16：25 |
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| 講師 | 三菱電機(株) 開発本部 先端技術総合研究所 パワーエレクトロニクス技術部門 主管技師長 大井 健史 氏 |
| 講演 | 従来比40％の電界強度低減と50％の省エネを実現するEV向けSiCパワー半導体16：25－17：25 |
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| 講師 | (株)日立製作所 研究開発グループ エレクトロニクスイノベーションセンタ エネルギーエレクトロニクス研究部 部長 島 明生 氏 |
| 名刺交換会 | 17：25－18：30 |
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