第20回 PDEAパワーデバイスセミナー｜PDEAパワーデバイスセミナー｜PDEA：一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会

GaNパワー台頭

日時	2019年12月6日（金） 13:00～18:00
会場	品川フロントビル貸会議室（B1F）
主催	パワーデバイス・イネーブリング協会（PDEA）
協賛	（株）アドバンテスト
後援	システム・インテグレーション（株）東京大学大学院工学系研究科システムデザイン研究センター一般社団法人日本電子デバイス産業協会（NEDIA）ナノテスティング学会
特別協力	（株）産業タイムズ社
参加費	11,000円（税込）／1名（講演資料含む）
定員	80名 ※定員に達し次第、お申込みを締め切らせていただきます。

企画趣旨

車載をはじめとするパワーデバイスの最有力材として、GaNの台頭が濃厚になってきました。これまで開発の先頭を走っていたのはSiＣですが、コスト抑制も含め今一歩、ブレークスルーが果たせず、最後の一線で足踏み状態が続いていました。そんななか、最有力材として躍り出てきたのがGaNです。新デバイス構造のチャレンジに加え、低抵抗化による大電流対応、さらには高速化に伴うスイッチングロスの低減とともに小型化の方向性も示唆しました。
GaNパワーデバイスの新ビジネスが始まろうとしています。そこでPDEAでは今回、新セミナー「GaNパワー台頭」を企画しました。パワーデバイスにおけるGaNの立ち位置を皮切りに、エピタキシャル成長技術、デバイス構造、そして応用領域として小型電源への展開を探っていきます。
新たなビジネスチャンスを獲得するための重要基本情報として、ぜひとも同セミナーへのご参加をお勧めします。

セミナープログラム

※ 講演者・講演タイトルは都合により変更する場合があります。ご了承下さい。

講演	パワーデバイスにおけるGaNの位置付け13：00－13：50
講師	トランスフォーム・ジャパン(株)　品質保証部　部長　庄野健氏
概要	急速に普及しつつあるGaNパワーデバイス。耐圧とオン抵抗では SiスーパージャンクションMOSFETと同等、スイッチング速度ではSiC MOSFETと競合するのではないかと言われていたが、その台頭の背景には何があるのか。実用化が進むことで鮮明に見えてきたGaN パワーデバイスのメリットを、デバイス単体の特性比較だけでなく実際の採用例を交え、GaNパワーデバイス、SiC MOSFET、SiスーパージャンクションMOSFETが、それぞれの長所を活かした棲み分けが成立しつつあることを説明する。

講演

パワーデバイスにおけるGaNの位置付け13：00－13：50

講師

トランスフォーム・ジャパン(株)　品質保証部　部長
　庄野健氏

概要

急速に普及しつつあるGaNパワーデバイス。耐圧とオン抵抗では SiスーパージャンクションMOSFETと同等、スイッチング速度ではSiC MOSFETと競合するのではないかと言われていたが、その台頭の背景には何があるのか。実用化が進むことで鮮明に見えてきたGaN パワーデバイスのメリットを、デバイス単体の特性比較だけでなく実際の採用例を交え、GaNパワーデバイス、SiC MOSFET、SiスーパージャンクションMOSFETが、それぞれの長所を活かした棲み分けが成立しつつあることを説明する。

講演	GaNの性能を極限まで引き出す小型高効率 Power SoC13：50－14：40
講師	九州工業大学　大学院　工学研究院　電気電子工学研究系　教授　松本聡氏
概要	GaNパワーデバイスは、高周波で高効率作動することで注目を集めている。GaNパワーデバイスの特徴を活かすためには、実装技術が重要であることが指摘されている、本講演では、GaNパワーデバイスの性能を極限まで引き出すことが可能な3次元power SoC(Supply on Chp)技術を解説する。また、3次元power SoCでは30MHz程度の高周波スイッチングが必要となるため、その周辺技術として、GaNパワーデバイスのドライブ技術や30MHzで適用可能な電源の制御技術を説明する。

講演

GaNの性能を極限まで引き出す小型高効率 Power SoC13：50－14：40

講師

九州工業大学　大学院　工学研究院　電気電子工学研究系　教授
　松本聡氏

概要

GaNパワーデバイスは、高周波で高効率作動することで注目を集めている。GaNパワーデバイスの特徴を活かすためには、実装技術が重要であることが指摘されている、本講演では、GaNパワーデバイスの性能を極限まで引き出すことが可能な3次元power SoC(Supply on Chp)技術を解説する。また、3次元power SoCでは30MHz程度の高周波スイッチングが必要となるため、その周辺技術として、GaNパワーデバイスのドライブ技術や30MHzで適用可能な電源の制御技術を説明する。

講演	パワーデバイス・イネーブリング協会の取り組み14：40－14：50
	一般社団法人パワーデバイス・イネーブリング協会　江越広弥

休憩 (14：50－15：00)

講演	HVPE法による高品質GaNバルクおよびエピ成長技術15：00－15：50
講師	（株）サイオクス　事業開拓部　GaNテンプレート事業化PJ　プロジェクトリーダー　　藤倉序章氏
概要	当社のHVPE製GaN基板製は、これまでも青～青紫レーザーダイオード用の基板として広く用いられている。しかしパワーデバイス応用に際しては、更なる結晶の高品質化とウエハの大口径化が求められ、本講演ではそのための課題とアプローチについて説明する。また、これまでもっぱらGaN基板製造にのみ用いられてきたHVPE法をGaNエピ成長に応用した例も併せて紹介する。HVPE装置を石英フリー化することにより、従来GaNエピ成長に広く用いられてきたMOCVD法では困難であった高純度かつカーボンフリーなGaN結晶の高速成長に成功し、縦型パワーデバイス・ドリフト層の成長に有望な技術として期待されている。

講演

HVPE法による高品質GaNバルクおよびエピ成長技術15：00－15：50

講師

（株）サイオクス　事業開拓部　GaNテンプレート事業化PJ　プロジェクトリーダー　
　藤倉序章氏

概要

当社のHVPE製GaN基板製は、これまでも青～青紫レーザーダイオード用の基板として広く用いられている。しかしパワーデバイス応用に際しては、更なる結晶の高品質化とウエハの大口径化が求められ、本講演ではそのための課題とアプローチについて説明する。また、これまでもっぱらGaN基板製造にのみ用いられてきたHVPE法をGaNエピ成長に応用した例も併せて紹介する。HVPE装置を石英フリー化することにより、従来GaNエピ成長に広く用いられてきたMOCVD法では困難であった高純度かつカーボンフリーなGaN結晶の高速成長に成功し、縦型パワーデバイス・ドリフト層の成長に有望な技術として期待されている。

講演	最近のGaNパワーデバイス開発状況15：50－16：50
講師	名古屋大学　未来材料・システム研究所　トヨタ先端パワーエレクトロニクス寄附研究部門　特任教授　加地徹氏
概要	GaNパワーデバイスには、オン抵抗、動作速度の面で現在主流のSiパワーデバイスを大きく凌駕することが期待されています。特に近年、Si基板上の横型GaNパワーデバイスは実用化の段階に来ており、高速動作の特徴を活用した応用展開が始まっています。一方、高出力に適した縦型GaNパワーデバイスにおいては、ここ数年で要素技術において急速に技術革新が進み、実用化を目指した開発に重点が移りつつあります。本講演ではそれらの現状と見通しについて報告します。

講演

最近のGaNパワーデバイス開発状況15：50－16：50

講師

名古屋大学　未来材料・システム研究所　トヨタ先端パワーエレクトロニクス寄附研究部門　特任教授
　加地徹氏

概要

GaNパワーデバイスには、オン抵抗、動作速度の面で現在主流のSiパワーデバイスを大きく凌駕することが期待されています。特に近年、Si基板上の横型GaNパワーデバイスは実用化の段階に来ており、高速動作の特徴を活用した応用展開が始まっています。一方、高出力に適した縦型GaNパワーデバイスにおいては、ここ数年で要素技術において急速に技術革新が進み、実用化を目指した開発に重点が移りつつあります。本講演ではそれらの現状と見通しについて報告します。

講師を囲む名刺交換会	17：00－18：00